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WEISS WAFER is a top tier supplier of silicon wafers and semiconductor materials.  

We offer comprehensive services and products tailored to their applications to our

customers all over the world, ranging from research labs to high volume production

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       廣東萬硅半導(dǎo)體有限公司是一家專注從事半導(dǎo)體材料解決方案供應(yīng)商,致力于為全球客戶提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體材料。致力于為客戶提供全面的半導(dǎo)體材料解決方案,公司的主要產(chǎn)品有單晶硅片和硅棒(包括區(qū)熔FZ和直拉CZ)、外延片(EPI)、絕緣片(SOI)、藍(lán)寶石外延片(SOS)、石英單晶(Crystal Quartz)、熔融石英(Fused Silica)、肖特玻璃(Borofloat33、D263t、B270i)、康寧玻璃(康寧7980、康寧7978、康寧Eagle XG)、超薄片(Ultrathin Wafer)、異形片(Abnormal Wafer),超厚氧化片(Ultra Thick Oxide Wafer)和超高阻單晶硅片(Ultra High Resistivity Wafer)等半導(dǎo)體材料。

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單晶硅片.JPG 廣東萬硅半導(dǎo)體有限公司是一家專注從事半導(dǎo)體材料解決方案供應(yīng)商,致力于為全球客戶提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體材料。致力于為客戶提供全面的半導(dǎo)體材料解決方案,公司的主要產(chǎn)品有單晶硅片和硅棒(包括區(qū)熔FZ和直拉CZ)、外延片(EPI)、絕緣片(SOI)、藍(lán)寶石外延片(SOS)、石英單晶(Crystal Quartz)、熔融石英(Fused Silica)、肖特玻璃(Borofloat33、D263t、B270i)、康寧玻璃(康寧7980、康寧7978、康寧Eagle XG)、超薄片(Ultrathin Wafer)、異形片(Abnormal Wafer),超厚氧化片(Ultra Thick Oxide Wafer)和超高阻單晶硅片(Ultra High Resistivity Wafer)等半導(dǎo)體材料。

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業(yè)務(wù)優(yōu)勢(shì)
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公司秉承"超越自我,追求品質(zhì)”的企業(yè)精神以及“誠信為本"的經(jīng)營(yíng)理念, 為用戶提供專業(yè)優(yōu)質(zhì)服務(wù)
追求高標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品供應(yīng)體系,不斷提升產(chǎn)品的品質(zhì),是我們一直以來的目標(biāo)!

供應(yīng)產(chǎn)品
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新聞中心
News Center
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2020年第一季度寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目匯總  轉(zhuǎn)自“芯思想ChipInsights”投產(chǎn)項(xiàng)目 1、中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地 2020年3月3日,中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目投產(chǎn)。 項(xiàng)目于2019年4月1日開工建設(shè), 9月26日封頂。建筑面積 2.7 萬平方米,能容納 600 臺(tái)碳化硅單晶生產(chǎn)爐和 18 萬片 N 型晶片的加工檢測(cè)能力,可形成 7.5 萬片的碳化硅晶片產(chǎn)...
總會(huì)有人問“為什么晶圓是晶圓不是晶方?“簡(jiǎn)單的來說硅晶片是這樣的:精挑細(xì)選且提純過后的高純度多晶硅是在一個(gè)籽晶(seed)上旋轉(zhuǎn)生長(zhǎng)出來后切成的片子。簡(jiǎn)化的流程如下所述:首先是硅提純,將沙石原料放入一個(gè)溫度約為2000℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化碳進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)(碳與氧結(jié)合,剩下硅),得到純度約為98%的純硅,又稱作冶金級(jí)硅,這對(duì)微電子器件來說不夠純,因?yàn)榘雽?dǎo)體...
來源:|作者:id1506174|發(fā)布時(shí)間: 2018-01-03   第3代半導(dǎo)體是指以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、金剛石、氧化鋅(ZnO)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,各類半導(dǎo)體材料的帶隙能比較見表1。與傳統(tǒng)的第1代、第2代半導(dǎo)體材料硅(Si)和砷化鎵(GaAs)相比,第3代半導(dǎo)體具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨(dú)特的性能,使其在光電器件、電力電...
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