SiC需求爆發！賽道正式開啟，國內企業迅速就位碳化硅功率器件彌補了硅基功率器件無法觸及的高度，提升了功率器件的性能和應用場景。目前，碳化硅功率器件在電動汽車領域與光伏發電領域的應用較為普遍，碳化硅功率器件提升了電動汽車的續航里程，縮短了充電時間，同時提高了光伏發電的轉換效率。在國家倡導使用清潔能源的政策背景下，碳化硅在國內市場有著廣闊的發展空間和需求。 基本半導體團隊，有著國內外多位知名高校和研究機構的博士帶隊，該企業的業務主要是面向碳化硅功率器件材料的生產、產品的設計、制造以及封測。基本半導體采用IDM的垂直產業模式，加快企業在碳化硅領域站穩腳步。  圖源：基本半導體 在碳化硅二極管方面，基本半導體基于自身在碳化硅外延層的優勢，開發了B1D10K02Q。B1D10K02Q是一款碳化硅PiN二極管，這款二極管的能承受10kV的反向電壓，阻斷電壓為14kV，與傳統的二極管相比，這款芯片的開關頻率更快。在高壓系統中應用能夠降低元器件的使用數量，降低電路的設計難度，提高系統的可靠性。B1D10K02Q采用的是4英寸的晶圓產線，產品良率可達到90%以上。 為順應市場的需求，基本半導體還推出了，采用SMBF封裝小尺寸的碳化硅肖特基二極管B2D04065V，面積僅為19平方毫米，主要應用于快充電源適配器中。B2D04065V的電壓等級為650V，正向導通電壓為1.35V，為降低碳化硅肖特基二極管的浪涌電壓和高溫工作狀態的系統損耗問題，采用了襯底減薄工藝。同時該工藝的加入，在晶圓生產過程中還可以減少傳片時晶圓發生缺口或裂縫等情況，從而提升晶圓制造的良率。  基本半導體的碳化硅MOSFET，大多集中在1200V的電壓等級，額定電流在20A至114A之間。基本半導體1200V的碳化硅MOSFET具有較高的可靠性，主要體現在高柵氧壽命、穩定的高擊穿電壓、短路耐受等方面。基本半導體1200V的碳化硅MOSFET的擊穿場強為10MV/cm，據官方表示，在負關斷電壓為20V的應用中，柵氧壽命在200年以上。同時，1200V碳化硅MOSFET的實際最高耐壓值為1528V，即使在實際應用中出現尖峰電流，對系統的影響也不大。在產品設計時，基本半導體對1200V碳化硅MOSFET進行了優化，將產品短路的耐受時間提升至6μs，進一步保護了系統的安全性。 來源：電子發燒友網?作者：李誠 |
