什么是區熔硅片？
區熔硅片就是通過區熔法（Float Zone）長晶得到區熔單晶硅棒，然后把單晶硅棒加工成硅片，叫做區熔硅片。區熔硅片由于在長晶的過程中沒有跟石英坩堝接觸，硅材料處于懸浮狀態，因此長晶過程中受污染少。碳含量和氧含量更低，雜質更少，電阻率更高，適用于功率器件和某些耐高壓電子器件的制造。
區熔硅片在長晶過程中，通常不會像直拉法那樣摻入雜質元素硼（Boron）或者磷（Phos）,因此區熔硅片大多是本征型，不摻雜的高阻片，電阻率大于>1000歐姆-厘米。但是某些情況下，也可以通過NTD中照和GD氣摻來實現對區熔硅棒的摻雜，以達到均勻性更好和更低的電阻率。
| Diameter | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Growth Method | FZ |
| Orientation | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > |
| Type/Dopant | Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron |
| Thickness (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Thickness Tolerance | Standard ± 25um | ±50um |
| Resistivity(Ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5 |
| Surface Finished | P/E , P/P, E/E, G/G |
| TTV (um) | Standard < 10 um |
| Bow/Warp (um) | Standard <40 um | <50um |
| Particle | <10@0.3um |
區熔硅片就是通過區熔法（Float Zone）長晶得到區熔單晶硅棒，然后把單晶硅棒加工成硅片，叫做區熔硅片。區熔硅片由于在長晶的過程中沒有跟石英坩堝接觸，硅材料處于懸浮狀態，因此長晶過程中受污染少。碳含量和氧含量更低，雜質更少，電阻率更高，適用于功率器件和某些耐高壓電子器件的制造。
區熔硅片在長晶過程中，通常不會像直拉法那樣摻入雜質元素硼（Boron）或者磷（Phos）,因此區熔硅片大多是本征型，不摻雜的高阻片，電阻率大于>1000歐姆-厘米。但是某些情況下，也可以通過NTD中照和GD氣摻來實現對區熔硅棒的摻雜，以達到均勻性更好和更低的電阻率。
