絕緣片（SOI）

SOI材料的制備方法有多種，過(guò)去經(jīng)常采用的有離子束、電子束或激光區(qū)熔再結(jié)晶(ZMR)，外延橫向生長(zhǎng)法(ELO)等，這些方法各有特色，但對(duì)于制造商用SOI晶片來(lái)說(shuō)，其生產(chǎn)能力和成本因素略顯不足。目前，注氧隔離法(SIMOX)和硅片鍵合法是制造低成本商用SOI晶片的兩種主要方法，并在國(guó)際上形成了兩大生產(chǎn)流派。采用這兩種方法都已能制造Φ200mm SOI晶片，并且有望滿(mǎn)足0.25μm/0.18μm工藝線(xiàn)的質(zhì)量要求，它們面臨的主要挑戰(zhàn)是如何進(jìn)一步提高產(chǎn)量、降低成本，即以IC制造商可接受的價(jià)格規(guī)模生產(chǎn)出質(zhì)量符合要求的SOI晶片以滿(mǎn)足IC規(guī)模生產(chǎn)的要求。