藍寶石外延片（SOS）

藍寶石外延片（SOS）
產品詳情


Parameters range for Silicon on Sapphire (SOS) Epi Wafers
Wafer diameter
76 mm, 100 mm, 150 mm
Orientation(1012) ± 1o (R-plane)
Substrate dopant-
Epi-layer thickness (μm)0.3 – 2.0
Epi-layer dopantPhosphorous, Boron
Epi-layer resistivity (Ohm.cm)2.5-30 Ohm.cm
n-typeaccording to spec.
p-typeaccording to spec.


在藍寶石片上外延生長一層硅薄膜以制作半導體集成電路的技術，簡稱 SOS。這種結構能提供理想的隔離，并減小PN結底部的寄生電容，故適合于制作高速大規模集成電路，實現高速和低功耗。
供應產品
區熔硅片
化合物半導體
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氧化片
單晶硅棒
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